PC公司的氮化镓专家将在国际消费电子展(CES)上分享氮化镓技术如何增强消费电子产品的功能和性能 增强型氮化镓(eGaN®)FET和IC领域的全球领导者宜普电源转换公司(EPC)将在CES 2024展会展示其卓越的氮化镓技术如何为消费电子产品在功能和性能方面做出贡献 ,包括实现更高效率、更小尺寸和更低成本的解决方案。CES展会期间,EPC的技术专家将于1月9日至12日在套房与客户会面、进行技术交流、讨论氮化镓技术及其应用场景的最新发展。氮化镓技术正在改变大批量消费应用的关键领域包括:推动人工智能
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宜普电源 CES 2024 氮化镓 GaN
基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布推出新款GaN FET器件,该器件采用新一代高压GaN HEMT技术和专有铜夹片CCPAK表面贴装封装,为工业和可再生能源应用的设计人员提供更多选择。经过二十多年的辛勤耕耘,Nexperia在提供大规模、高质量的铜夹片SMD封装方面积累了丰富的专业知识,如今成功将这一突破性的封装方案CCPAK应用于级联氮化镓场效应管(GaN FET),Nexperia对此感到非常自豪。GAN039-650NTB是一款33 mΩ(典型值)的氮化镓场效应管,采用CCP
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Nexperia SMD CCPAK GaN FET
2023年11月16日消息,随着汽车的互联性不断提高、技术日益先进,对加强安全措施的需求也随之增加。各国政府和汽车OEM最新的网络安全规范开始包含更大的密钥尺寸和爱德华曲线ed25519算法标准(Edwards Curve ed25519)。为此,Microchip Technology Inc.(微芯科技公司)近日推出最新的信任锚点安全IC(Trust Anchor Security IC) TA101,可满足复杂的汽车和嵌入式安全用例。TA101 支持高达 ECC P521、SHA512、R
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Microchip TrustAnchor IC 汽车安全认证
在半导体行业,新的材料技术有“四两拨千斤”的魔力,轻轻松松带来颠覆性变革。具有先天性能优势的宽禁带半导体材料脱颖而出。在整个能源转换链中,宽禁带半导体的节能潜力可为实现长期的全球节能目标作出贡献。宽禁带技术将推动电力电子器件提高效率、提高密度、缩小尺寸、减轻重量、降低总成本,因此将在数据中心、智能楼宇、个人电子设备等应用场景中为能效提升作出贡献。宽禁带材料让应用性能炸裂,怎么做到的?宽禁带材料的优势主要体现在:✦ 与传统的硅基半导体材料相比,宽禁带产品具有更宽更高的禁带宽度、电场强度,更高的击穿
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GaN 宽禁带 SiC
Efficient Energy Technology GmbH(EET)位于奥地利,是设计和生产创新、用于阳台的小型发电厂的先驱。EET公司选用了宜普电源转换公司(EPC)的增强型氮化镓(eGaN®)功率晶体管(EPC2204), 用于其新型SolMate®绿色太阳能阳台产品。EPC2204在低RDS(on)和低COSS之间实现了最佳折衷,这对于要求严格的硬开关应用至关重要,同时在紧凑的封装中实现100 V的漏-源击穿电压。这种紧凑型设计显着缩小了PCB的尺寸,保持较小的电流环路和最大限度地减少EMI。
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Efficient Energy Technology EET SolMate EPC 氮化镓器件 GaN
Microchip Technology Inc.安全及计算产品部市场经理Xavier Bignalet如果您对单个配件的身份验证、规范化电子配件生态系统的构建或一次性用品的假冒伪劣处理感兴趣,欢迎阅读本篇博文。我们将介绍最新推出的高性价比安全身份验证IC。看看它们提供了哪些安全特性来帮助您实现反威胁模型。面向一次性用品和配件生态系统的成本优化型安全身份验证 IC不知您是否有注意到,其实我们每天都在经历着各种安全身份验证过程。例如,当您发送电子邮件、将手机插入充电器或打印文档时,后台都有在进行身份验证。本
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Microchip MCU IC
RF前端的高功率末级功放已被GaN功率放大器取代。栅极负压偏置使其在设计上有别于其它技术,有时设计具有一定挑战性;但它的性能在许多应用中是独特的。阅读本文,了解Qorvo的电源管理解决方案如何消除GaN的栅极偏置差异。如今,电子工程师明白GaN技术需要栅极负电压工作。这曾经被视为负面的——此处“负面”和“负极”并非双关语——但今天,有一些技术使这种栅极负压操作变得微不足道。今天,我们拥有电源管理集成电路(PMIC)器件,可以轻松可靠地为这些GaN PA通电和断电,以及PMIC所带来更多其他优势。我们将在下
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Qorvo GaN 功率放大器
当地时间11月13日,冲电气工业株式会社(OKI)与信越化学合作,宣布成功开发出一种技术,该技术使用OKI的CFB(晶体薄膜键合)技术,从信越化学特殊改进的QST(Qromis衬底技术)基板上仅剥离氮化镓(GaN)功能层,并将其粘合到不同材料的基材该技术实现了GaN的垂直导电,有望为可控制大电流的垂直GaN功率器件的制造和商业化做出贡献。两家公司将进一步合作开发垂直GaN功率器件,并与制造这些器件的公司合作,让这些器件能应用到实际生产生活中。GaN功率器件因兼具高频率与低功耗特性而备受关注,尤其在1800
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GaN 垂直导电 OKI
氮化镓(GaN)是最接近理想的半导体开关的器件,能够以非常高的能效和高功率密度实现电源转换。相比于生成工艺复杂的SiC,GaN的生成工艺相对成熟,可以制作成尺寸小巧的芯片封装,因此非常适合在各种消费级和工业级开关功率应用。当然,相比SiC在高压领域的出色表现,GaN在高压的表现并不突出。因此,作为目前GaN市场占有率最高的Power Integrations(PI)创新地将GaN开关的耐压上限提升到1250V,再次为GaN开关的应用填补了新的耐受电压领域。 PI的PowiGaN已经在超过60个的市场应用中
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1250V PI PowiGaN GaN
加利福尼亚州戈莱塔 – 2023 年 11 月 7日 -新世代电力系统的未来、氮化镓(GaN)功率半导体的全球领先供应商 Transphorm, Inc.(纳斯达克股票代码:TGAN)近日宣布,推出三款TOLL封装的 SuperGaN® FET,导通电阻分别为35、50和72毫欧。Transphorm的TOLL封装配置采用行业标准,这意味着TOLL封装的SuperGaN功率管可作为任何使用e-mode TOLL方案的直接替代器件。新器件还具备Transphorm经验证的高压动态(开关)导通电阻可
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Transphorm 氮化镓 GaN
基于氮化镓器件的EPC9194逆变器参考设计显着提高了电机驱动系统的效率、扭矩而同时使得单位重量功率(比功率)增加了一倍以上。该逆变器非常微型,可集成到电机外壳中,从而实现最低的电磁干扰、最高的密度和最輕的重量。 宜普电源转换公司宣布推出三相BLDC电机驱动逆变器参考设计(EPC9194)。它的工作输入电源电压范围为 14V ~60V,可提供高达60 Apk(40 ARMS)的输出电流。此电压范围和功率使该解决方案非常适合用于各种三相BLDC电机驱动器,包括电动自行车、电动滑板车、无人
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EPC GaN FET 电机驱动器
Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家无晶圆厂环保科技半导体公司,开发了一系列高能效 GaN 功率器件,致力于打造更环保的电子器件。CGD 与台湾群光电能科技有限公司(TWSE:6412)和英国剑桥大学技术服务部 (CUTS) 签署了三方协议,共同设计和开发使用 GaN 的先进、高效、高功率密度适配器和数据中心电源产品。群光电能科技是一家成熟的电力电子系统整体解决方案提供商,专注于各种应用的电源和适配器,包括笔记本电脑、台式电脑、游戏设备和服务器/云解决方案。剑桥大学高压微电子和传
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CGD 群光电能 GaN 生态系统
紧凑型 100 瓦电源的应用范围不断增加,从 AC-DC 充电器和适配器、USB 供电 (PD) 充电器和快速充电(QC) 适配器,到 LED 照明、白色家电、电机驱动、智能仪表和工业系统等。对于这些离线反激式电源的设计者来说,面临的挑战是如何确保稳健性和可靠性,同时继续降低成本,提高效率,缩小外形尺寸以提高功率密度。为了解决其中的许多问题,设计者可以用基于宽带隙 (WBG) 技术的器件 (GaN) 来取代硅 (Si) 功率开关。这样做直接转化为提高电源效率和减少对散热器的需求,从而实现更高的功率密度。然
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电源效率 氮化镓 GaN 电源转换器设计
恩智浦新一代电池管理系统IC的电芯测量精度低至0.8 mV,并且其全生命周期为考量的设计稳健性,可增强电池管理系统的性能,充分挖掘电动汽车锂离子电池和储能系统的可用容量并提高安全性。恩智浦半导体推出了下一代电池控制器IC,旨在优化电池管理系统(BMS)的性能和安全性。恩智浦的MC33774 18通道模拟前端器件可在宽温度范围内提供低至0.8 mV的电芯测量精度和出色的电芯均衡力,支持功能安全等级ASIL-D,适合用于与安全密切相关的高压锂离子电池中,以充分挖掘可用容量。锂离子电池因单位体积和重量的能量密度
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电池管理系统 IC 电芯测量精度 BMS MC33774
英飞凌科技股份公司近日宣布完成收购氮化镓系统公司(GaN Systems,以下同)。这家总部位于加拿大渥太华的公司,为英飞凌带来了丰富的氮化镓 (GaN) 功率转换解决方案产品组合和领先的应用技术。已获得所有必要的监管部门审批,交易结束后,GaN Systems 已正式成为英飞凌的组成部分。英飞凌科技首席执行官 Jochen Hanebeck 表示,“氮化镓技术为打造更加低碳节能的解决方案扫清了障碍,有助于推动低碳化进程。收购 GaN Syste
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英飞凌 氮化镓系统公司 GaN Systems 氮化镓
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